2SK2996, Toshiba tarafından üretilmiş bir N-kanal güç MOSFET’tir. Yüksek voltaj ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde özellikle DC–DC dönüştürücüler, röle sürücüleri ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmiştir.
📦 Genel Özellikler
- Tip: N-kanal MOSFET
- VDSS: 600 V (Drain-Source bloklama gerilimi)
- ID: 10 A (Sürekli drain akımı @ 25°C)
- RDS(on): ~0.74 Ω (typik)
- VGS(th): 2.0 – 4.0 V (Gate eşik gerilimi)
- Yüksek hızlı anahtarlama ve düşük sızıntı akımı
- Paket: Genellikle TO-220 (delikli montaj)
🔌 Kullanım Alanları
- DC–DC dönüştürücüler
- Motor sürücü devreleri
- Röle yerine MOSFET tabanlı anahtarlama
- Yüksek voltajlı güç kontrol sistemleri
- Endüstriyel otomasyon ve enerji yönetimi devreleri